エシキャット・ジャパン（茨城県つくば市、渡辺純一代表）は８日、パワー半導体向けシリコン・カーバイド（ＳｉＣ）エピタキシャル（結晶成長）ウエハーの販売を始めたと発表した。基板の片面にシリコンを使い、世界最高水準の結晶成長の均一性を実現して品質を高めた。２インチと３インチ品を用意。パワー半導体や電機、通信機器メーカーに販売する。
顧客の要望に応じて、カーボン面基板を用いたサンプル品も出荷する。
ＳｉＣ結晶成長ウエハーを用いた半導体は、現在のシリコン半導体より高性能で、大電流・高周波、低損失が求められるパワー半導体での利用が見込まれている。
有限責任事業組合（ＬＬＰ）の同社は産業技術総合研究所の技術移転ベンチャーとして０５年９月に設立。製造は昭和電工秩父事業所内の量産設備で行っている。