富士電機デバイステクノロジー（東京都品川区、高井明社長）は、半導体の生産能力を増強するため、０７年度に２００億円強の設備投資を実施する。産業機械や自動車向けの半導体スイッチング素子の生産能力を引き上げるのが主な要因で、積極投資で需要増に対応する。０６年度の半導体関連の設備投資は当初計画を２０億円上回る１５０億円となる見込み。産業分野での半導体スイッチング素子の需要拡大は当面継続すると見ており、能力増強でシェア拡大を目指す。
富士電機デバイステクノロジーは、電源関連に利用するパワー半導体が主力。急速に成長しているデジタル家電向け製品にも投資するが、産業機械向け半導体スイッチング素子である絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の需要が急拡大していることから積極投資に踏み切る。